原子層沉積技術(shù)以精準控制薄層厚度，均勻性，保型性而著稱，廣泛應用于集成電路（IC）行業(yè)，它使得電子器件持續(xù)微型化成為可能，逐漸成為了微電子器件制造，半導體領域的必要技術(shù)。例如用于制備晶體管柵堆垛、刻蝕終止層。緊湊型原子層沉積系統(tǒng)，系統(tǒng)為全自動的安全互鎖設計，并提供了強大的靈活性，可以用于沉積多種薄膜。（可沉積氧的化物： HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O等；氮化物：TiN,Si3N4等；）應用領域包含半導體、光伏、MEMS等。帶有加熱腔壁及屏蔽層，非常方便腔體的清潔。該系統(tǒng)擁有一個載氣艙包含4個50ml的加熱源，用于前驅(qū)體以及反應物，同時帶有N2作為運載氣體的快脈沖加熱傳輸閥。

詳細介紹

原子層沉積技術(shù)以精準控制薄層厚度，均勻性，保型性而著稱，廣泛應用于集成電路（IC）行業(yè)，它使得電子器件持續(xù)微型化成為可能，逐漸成為了微電子器件制造，半導體領域的必要技術(shù)。例如用于制備晶體管柵堆垛、刻蝕終止層。
緊湊型原子層沉積系統(tǒng)，系統(tǒng)為全自動的安全互鎖設計，并提供了強大的靈活性，可以用于沉積多種薄膜。（可沉積氧的化物： HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O等；氮化物：TiN,Si3N4等；）
應用領域包含半導體、光伏、MEMS等。帶有加熱腔壁及屏蔽層，非常方便腔體的清潔。該系統(tǒng)擁有一個載氣艙包含4個50ml的加熱源，用于前驅(qū)體以及反應物，同時帶有N2作為運載氣體的快脈沖加熱傳輸閥。

ALD原子層沉積設備特點

·不均勻性低于1%；
·陽極氧化鋁腔體；
·小反應腔體容積確?？焖俚难h(huán)時間并提高質(zhì)量；
·可支持4英寸的基片；
·最多支持4路50cc/100cc前驅(qū)體源；
·高深寬比結(jié)構(gòu)的保形生長。

技術(shù)參數(shù)

設備尺寸：800X800X495mm
4英寸及以下兼容基片
3D 復雜表面襯底
多孔，通孔，高深寬比（HAR）樣品
樣品加熱50-260℃，精度±1℃
前驅(qū)體及管路：液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)，加熱溫度室溫~180℃
標準設備驗收標準為 Al2O3 工藝