四探針方阻電阻率測試儀

GB/T 1555 半導(dǎo)體單晶晶向測定方法
絕緣性，探針之間及任一探針與機(jī)座之間的直流絕緣電阻大于（1×10）n， 測量環(huán)境
將樣品粘在磨頭的斜面上，選取合適的研磨膏涂抹在樣品表面進(jìn)行研磨，研磨后樣品須處理干凈。
該方法是先測量重復(fù)形成的點(diǎn)接觸的擴(kuò)展電阻，再用校準(zhǔn)曲線來確定被測試樣在探針接觸點(diǎn)期近的電阻率。擴(kuò)展電阻R是導(dǎo)電金屬深針與建片上一個(gè)參考點(diǎn)之間的電勢(shì)降與流過探針的電流之比。
根據(jù)探針負(fù)荷，確定探針下降到試樣上的速度，當(dāng)負(fù)荷等于0.4N時(shí)，比較合適的探針下降速度為1 mm/s，將探針在用5 μm粒度研磨脊研磨過的硅片表面步進(jìn)壓觸500次以上，或用 8000號(hào)~1000號(hào)的砂布或砂紙輕修整探針尖，使針實(shí)老化。
GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測定 直流兩探針法
式中;p—-—電阻率，單位為歐姆厘來（0·cm）; a——接觸率徑，單位為厘米（cm） R，——擴(kuò)展電阻，單位為歐姆（N），等式成立需符合如下三個(gè)假定條件;
電流輸出：直流電流?0～1000mA?連續(xù)可調(diào)，由交流電源供電。
R,- Rlor()式中;R，—-精密電阻盟值，單位為歐姆（N）; loe（告）——-對(duì)數(shù)比較器輸出。
對(duì)于電阻率均勻一致的半導(dǎo)體材料來說，探針與半導(dǎo)體材料接觸半徑為a的擴(kuò)展電阻用式（1）來表示;
a）兩個(gè)探針之間的距離必須大于 10 倍 a; b） 樣品電阻率需均勻一致; c） 不能形成表面保護(hù)膜或接觸勢(shì)壘。

四探針方阻電阻率測試儀
干狀因素如果硅片表測被氯離子估污或表固有損傷，會(huì)造成測試的結(jié)果誤差; 如果測試環(huán)境的溫度，光照強(qiáng)度的不同會(huì)影響測試結(jié)果; 如果測試環(huán)境有射頻干擾，會(huì)影響測試結(jié)果.
GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法
分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV
樣品制備用于測量晶片徑向電膽率均勻性的樣品應(yīng)具有良好的鏡狀表面，制備方法包括，化學(xué)機(jī)被拋光/含水機(jī)被拋光/無水機(jī)被監(jiān)光，外延后表面可直接用于測量，
電源：220±10% 50HZ/60HZ
用于測量電阻率縱向分布的樣品制備除特殊需要外，盡量在被測樣片中間區(qū)域劑取被測樣根據(jù)樣品測試深度及精度要求選取合通磨頭;
選擇探針負(fù)荷為0.1 N～1 N，每一探針應(yīng)使用相同負(fù)荷。
測量儀器與環(huán)境本標(biāo)準(zhǔn)選用自動(dòng)測量儀器，電流范圍及糖度;10 nA~10 mA，±0.1%。
電壓范圍及精度，≤20 mV，主±0，1%。
分辨率：  醉小1μΩ

標(biāo)配：測試平臺(tái)一套、主機(jī)一套、電源線數(shù)據(jù)線一套。
本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時(shí)顯示電阻值、電阻率、方阻、電導(dǎo)率值、溫度、壓強(qiáng)值、單位自動(dòng)換算，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測試項(xiàng)目要求選購.

CB/T1550 非本征率導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法 GB/T 1552 硅、儲(chǔ)單晶電阻率測定 直排四探針法
電導(dǎo)率：5×10-6～1×108ms/cm
可采用恒壓法，恒流法和對(duì)數(shù)比較器法，其電路圖分別見圖1、圖2、圖3.具體計(jì)算公式分別見式（2）、式（3）和式（4）
測量電壓量程：?2mV?  20mV? 200mV?2V?
為保證小信號(hào)測量條件，應(yīng)使探針電勢(shì)不大于 20 mV。
方法原到擴(kuò)展電阻法是一種實(shí)驗(yàn)比較法。

測量精度±（0.1%讀數(shù)）
電阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、
樣品臺(tái)，絕緣真空吸盤或其他能將硅片固定的裝置，能在互相垂直的兩個(gè)方向上實(shí)現(xiàn)5μ~500μm 步距的位移
本標(biāo)準(zhǔn)適用于側(cè)量晶體晶向與導(dǎo)電類型已知的硅片的電阻率和測量材底同型或反型的硅片外延層的電阻率，測量范圍，10-* n·cm～10' Ω·cm。
范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片電阻率的擴(kuò)展電阻探針測量方法。
GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴(kuò)展電阻探針法

GB/T 6617-1995 硅片電阻率測定 擴(kuò)展電阻探針法
將針尖進(jìn)行清脂處理，測量1n·cm均勻p型硅單晶樣品擴(kuò)展電阻，如果多次測登的擴(kuò)展電阻值的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差在士10%以內(nèi)，并且平均值是在正常的擴(kuò)展電阻值范圍內(nèi)，可認(rèn)為針尖是良好的，否則該探針應(yīng)重新老化或使用新操.
電阻測量范圍：
規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，敷勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是香可使用這些文件的服本。凡是不注日期的引用文件，其版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
誤差：±0.2%讀數(shù)±2字
在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中，四探針法涉及到半金屬與半導(dǎo)體材料綜合、金屬物理性能試驗(yàn)方法、、、電工合金零件、特種陶瓷、質(zhì)譜儀、液譜儀、能譜儀及其聯(lián)用裝置、電阻器、半導(dǎo)體集成電路、工程地質(zhì)、水文地質(zhì)勘察與巖土工程、水環(huán)境有毒害物質(zhì)分析方法、電工材料和通用零件綜合、半金屬、元素半導(dǎo)體材料、金屬無損檢驗(yàn)方法。
應(yīng)避免試樣表面上存在OH-和F離子，如果試樣在制備或清洗中使用了含水溶劑或材料，測量前可將試樣在140℃士20 ℃條件下空氣中熱處理10mi~15 min.
測量步驟儀器準(zhǔn)備調(diào)節(jié)探針間距到期望值，記錄探針間距。
本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料之電導(dǎo)率。液晶顯示，無需人工計(jì)算，并帶有溫度補(bǔ)償功能，電導(dǎo)率單位自動(dòng)選擇，BEST-300C 材料電導(dǎo)率測試儀自動(dòng)測量并根據(jù)測試結(jié)果自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程，無需人工多次和重復(fù)設(shè)置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動(dòng)生成圖表和報(bào)表。
GB/T 14847 重?fù)诫s襯底上輕摻雜建外延層厚度的紅外反射測顯方法
主機(jī)外形尺寸：330mm*340mm*120mm
測量環(huán)境溫度為23 ℃士3 ℃，相對(duì)溫度不大于65%. 5，在愛射光或黑暗條件下進(jìn)行調(diào)量。 必要時(shí)應(yīng)進(jìn)行電磁屏蔽。 探針架置于消度臺(tái)上，
標(biāo)準(zhǔn)分類中，四探針法涉及到半導(dǎo)體材料、金屬材料試驗(yàn)、絕緣流體、獸醫(yī)學(xué)、復(fù)合增強(qiáng)材料、電工器件、無損檢測、集成電路、微電子學(xué)、土質(zhì)、土壤學(xué)、水質(zhì)、電子顯示器件、有色金屬。
電阻：1×10-5～2×105Ω
測量誤差±5%
量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,?

GB/T 14141-2009 硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測定.直排四探針法
四端測試法是目前較*之測試方法，主要針對(duì)高精度要求之產(chǎn)品測試；本儀器廣泛用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。
圓試精度∶士5%， 機(jī)械裝置操針架，采用雙探針結(jié)構(gòu)。探針架用作支承探針，使其以重復(fù)的速度和預(yù)定的壓力將探針尖下降至試樣表面，并可調(diào)節(jié)探針的接觸點(diǎn)位置探針實(shí)采用堅(jiān)硬耐磨的良好導(dǎo)電材料如餓、碳化鴨成將釘合金等制成。針突曲率半徑不大于 25 μm，夾角 30°～60°。針距為40 μm～100 μm。
顯示方式：液晶顯示
提供中文或英文兩種語言操作界面選擇，滿足國內(nèi)及國外客戶需求