超聲波探傷儀探頭

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更新時間：2025-04-03 10:16:17瀏覽次數(shù)：25次

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北京利敏特精密儀器有限公司

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產(chǎn)品簡介

超聲波探傷儀探頭產(chǎn)品概述：超聲波探傷儀探頭主要由壓電晶片組成。探頭可發(fā)射及接收超聲波。探頭由于其結(jié)構(gòu)的不同可分為直探頭（縱波）、斜探頭（橫波）、雙探頭（一個探頭發(fā)射，另一個探頭接收）等。

詳細介紹

直探頭 直探頭也稱平探頭，可發(fā)射及接受縱波。直探頭主要由壓電晶片、阻尼塊（吸收塊）及保護膜組成。（1）壓電晶片壓電晶片的厚度與超聲頻率成反比。（2）保護膜直探頭為避免晶片與工件直接接觸而磨損晶片，在晶片下粘合一層保護膜，有軟性保護和硬性保護兩種。（3）阻尼塊阻尼塊又名吸收塊，其作用為降低降低晶片的機械品質(zhì)系數(shù)，吸收聲能量。如果沒有阻尼塊，電振蕩脈沖停止時，壓電晶片因慣性作用，仍繼續(xù)振動，加長了超聲波的脈沖寬度，使盲區(qū)增大，分辨力差。

斜探頭 超聲波探傷儀斜探頭可發(fā)射及接收橫波。斜探頭主要由壓電晶片、阻尼塊和斜楔塊組成。晶片產(chǎn)生縱波，經(jīng)斜楔傾斜入射到被測工件中，轉(zhuǎn)換為橫波。斜楔為有機玻璃，被測工件為鋼，斜探頭的角度（即入射角）在28°~61°之間時，在鋼中可產(chǎn)生橫波。斜楔的形狀應(yīng)使聲波在斜楔中傳播時不得返回晶片，以免出現(xiàn)雜波。直探頭在液體中傾斜入射工件時，也能產(chǎn)生橫波。

雙探頭 超聲波探傷儀雙探頭又稱組合探頭，兩塊壓電晶片裝在一個探頭架內(nèi)，一個晶片發(fā)射，另一個接收。雙探頭發(fā)射及接收縱波，晶片下的延遲塊使聲波延遲一段時間后射入工件，這樣可探測近表面的缺陷并可提高分辨力。兩塊晶片有一傾角（一般約3°~18°），兩晶片聲場重合部分（陰影部分），是探傷靈敏度較高的部位。

單晶直探頭

型號	頻率	晶片尺寸		近場長度		連接端口
型號	MHz	mm	In	mm	In	連接端口
2M10N	2	10	0.39	8	0.3	LEMO00(C5)
4M10N	4	10	0.39	17	0.7	LEMO00(C5)
2.5M10N	2.5	10	0.39	11	0.4	BNC(Q9)
5M10N	5	10	0.39	21	0.8	BNC(Q9)
10M10N	10	10	0.39	42	1.7	BNC(Q9)
2M14N	2	14	0.55	17	0.7	LEMO00(C5)
2M14N	2	14	0.55	17	0.7	LEMO00(C5)
2M14N	2	14	0.55	17	0.7	LEMO00(C5)
2M14N	2	14	0.55	17	0.7	LEMO00(C5)
1M20N	1	20	0.79	17	0.7	LEMO00(C5)
2M20N	2	20	0.79	34	1.3	LEMO00(C5)
4M20N	4	20	0.79	68	2.7	LEMO00(C5)
2.5M20N	2.5	20	0.79	42	1.7	BNC(Q9)
5M20N	5	20	0.79	85	3.3	BNC(Q9)

雙晶直探頭

型號	頻率	晶片尺寸		焦距
型號	MHz	mm	In	mm	In
2M11FG8	2	Ф11/2	0.43	8	0.3
2M12FG10	2	Ф12/2	0.7	10	0.4
4M3.5×10FG10	4	3.5*10	0.14*0.39	10	0.4
4M3.5×10FG18	4	3.5*10	0.14*0.39	18	0.7
5M10FG10	5	Ф10/2	0.39	10	0.4
2.5M20FG10	2.5	Ф20/2	0.79	10	0.4
2.5M20FG15	2.5	Ф20/2	0.79	15	0.6
2.5M20FG20	2.5	Ф20/2	0.79	20	0.8
2.5M20FG30	2.5	Ф20/2	0.79	30	1.2
5M20FG10	5	Ф20/2	0.79	10	0.4
5M20FG15	5	Ф20/2	0.79	15	0.6
5M20FG20	5	Ф20/2	0.79	20	0.8
5M20FG30	5	Ф20/2	0.79	30	1.2

單晶斜探頭等

袋裝探頭

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