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大塚電子（蘇州）有限公司
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大塚電子（蘇州）有限公司
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產(chǎn)品型號(hào)
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所 在 地蘇州市
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產(chǎn)品信息 特 長(zhǎng) 薄膜到厚膜的測(cè)量范圍、UV~NIR光譜分析 高性能的低價(jià)光學(xué)薄膜量測(cè)儀 藉由反射率光譜分析膜厚 完整繼承FE-3000機(jī)種90%的強(qiáng)大功能 無(wú)復(fù)雜設(shè)定，操作簡(jiǎn)單，短時(shí)...
●支持從薄膜到厚膜的各種薄膜厚度
●使用反射光譜分析薄膜厚度
●實(shí)現(xiàn)非接觸、非破壞的高精度測(cè)量，同時(shí)體積小、價(jià)格低
●簡(jiǎn)單的條件設(shè)置和測(cè)量操作！任何人都可以輕松測(cè)量薄膜厚度
●通過(guò)峰谷法、頻率分析法、非線性最小二乘法、優(yōu)化法等，可以進(jìn)行多種膜厚測(cè)量。
●非線性最小二乘法薄膜厚度分析算法可以進(jìn)行光學(xué)常數(shù)分析（n：折射率，k：消光計(jì)數(shù)）。
反射率測(cè)量
膜厚分析（10層）
光學(xué)常數(shù)分析（n：折射率，k：消光計(jì)數(shù)）
功能膜、塑料
透明導(dǎo)電膜（ITO、銀納米線）、相位差膜、偏光膜、AR膜、PET、PEN、TAC、PP、PC、PE、PVA、粘合劑、膠粘劑、保護(hù)膜、硬涂層、防指紋， 等等。
半導(dǎo)體
化合物半導(dǎo)體、Si、氧化膜、氮化膜、Resist、SiC、GaAs、GaN、InP、InGaAs、SOI、藍(lán)寶石等。
表面處理
DLC涂層、防銹劑、防霧劑等。
光學(xué)材料
濾光片、增透膜等。
FPD
LCD（CF、ITO、LC、PI）、OLED（有機(jī)膜、封裝材料）等
其他
HDD、磁帶、建筑材料等
大冢電子利用光學(xué)干涉儀和自有的高精度分光光度計(jì)，實(shí)現(xiàn)非接觸、無(wú)損、高速、高精度的薄膜厚度測(cè)量。光學(xué)干涉測(cè)量法是一種使用分光光度計(jì)的光學(xué)系統(tǒng)獲得的反射率來(lái)確定光學(xué)膜厚的方法，如圖 2 所示。以涂在金屬基板上的薄膜為例，如圖1所示，從目標(biāo)樣品上方入射的光被薄膜表面（R1）反射。此外，穿過(guò)薄膜的光在基板（金屬）和薄膜界面（R2）處被反射。測(cè)量此時(shí)由于光程差引起的相移所引起的光學(xué)干涉現(xiàn)象，并根據(jù)得到的反射光譜和折射率計(jì)算膜厚的方法稱為光學(xué)干涉法。分析方法有四種：峰谷法、頻率分析法、非線性最小二乘法和優(yōu)化法。
| 類型 | 薄膜型 | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 測(cè)量波長(zhǎng)范圍 | 300-800nm | 450-780nm |
| 測(cè)量膜厚范圍 （SiO 2換算） | 3nm-35μm | 10nm-35μm |
| 光斑直徑 | φ3mm / φ1.2mm | |
| 樣本量 | φ200×5（高）mm | |
| 測(cè)量時(shí)間 | 0.1-10s內(nèi) | |
| 電源 | AC100V ± 10% 300VA | |
| 尺寸、重量 | 280 (W) x 570 (D) x 350 (H) 毫米，24 公斤 | |
| 其他 | 參考板，配方創(chuàng)建服務(wù) | |
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