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力汕電子科技(上海)有限公司


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GTSI 射頻電磁場輻射抗擾度試驗系統(tǒng)

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產(chǎn)品型號GTEM-2

品       牌

廠商性質(zhì)其他

所  在  地上海

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更新時間:2024-12-22 02:49:30瀏覽次數(shù):40次

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產(chǎn)品簡介

GTEM射頻輻射抗擾度測試系統(tǒng)是LISUN力汕根據(jù)IEC61000-4-3和GB/T17626.3標準要求基于GTEM技術(shù)開發(fā)的射頻抗擾度預測試系統(tǒng),目前已廣泛應用于電力、通信、、質(zhì)檢等領(lǐng)域,為評定小型電子設備對輻射電磁場干擾敏感性建立有力的測試依據(jù)

詳細介紹

GTEM射頻輻射抗擾度測試系統(tǒng)是LISUN力汕根據(jù)IEC61000-4-3和GB/T17626.3標準要求基于GTEM技術(shù)開發(fā)的射頻抗擾度預測試系統(tǒng),目前已廣泛應用于電力、通信、、質(zhì)檢等領(lǐng)域,為評定小型電子設備對輻射電磁場干擾敏感性建立有力的測試依據(jù)。

采用GTEM進行電磁兼容性測試是近年來國際電磁兼容領(lǐng)域發(fā)展的一項新的測量技術(shù)。由于GTEM的寬頻帶特性(從直流到微波),既可用于電磁輻射敏感度試驗(EMS試驗,有時也稱抗擾度試驗),又可用于電磁輻射試驗(EMI試驗),而且所用儀器(相對在電波暗室中做試驗來說)有配置簡單、成本便宜和可用于快速和自動測試的特點,所以越來越受到國際和國內(nèi)有關(guān)人士的重視。其中尤以對待小設備的測試,GTEM測量方案是性能價格比的測試方案。

技術(shù)參數(shù):
? 頻率范圍:DC~x GHz(x可以按照客戶要求配置)
? 輸入阻抗:50Ω±5Ω(典型值:50Ω±2Ω)
? 電壓駐波比:≤1.7(典型值:≤1.5)
? 輸入功率:1000W
? 電場強度范圍:0.01~200V/m(根據(jù)輸入功率大小)
? 同軸接頭:L16(N型)

產(chǎn)品型號

尺寸(長*寬*高)mm

凈空高度

屏蔽門(寬*高)

3dB區(qū)域(寬*深*高)

EUT尺寸(寬*深*高)

GTEM-2

1950x950x700

350

300×260

200x200x100

260x400x130

GTEM-3

2900x2000x1100

500

450×400

300x300x150

390x600x195

GTEM-4

3900x2050x1350

750

700×605

450x450x200

585x900x260

GTEM-5

5000x2550x1750

1000

900×700

600x600x300

780x1200x390

GTEM-6

6000x3100x2150

1250

1000×900

700x700x350

910x1400x455

GTEM-7

6950x3600x2350

1500

1200×950

850x850x450

1105x1700x585

GTEM-8

8000x4050x2850

1750

1300×1000

1000x1000x500

1300x2000x650

射頻電磁場輻射抗擾度試驗系統(tǒng):

小室場均勻性特性(滿足0~6dB場均勻性要求)

GTSI 射頻電磁場輻射抗擾度試驗系統(tǒng):

圖1 GTSI 射頻電磁場輻射抗擾度試驗系統(tǒng)

系統(tǒng)軟件:計算機中配標準的GP-IP接口卡,通過專用IEEE-488電纜與智能場強計聯(lián)接。采用主控計算機并配置必要的系統(tǒng)軟件,可完成對智能場強計與標準信號源的同步控制,實現(xiàn)整個測試系統(tǒng)的自動化操作。
信號發(fā)生器:是帶有GP-IB接口的信號源。它同樣可進行脫機或聯(lián)機操作。聯(lián)機時,接受計算機的指令,進行相應操作。
功率放大器: 對信號源的信號進行放大,并送至GTSI 射頻電磁場輻射抗擾度試驗系統(tǒng)內(nèi)形成所需的場強值。
場強探頭:測量GTSI 射頻電磁場輻射抗擾度試驗系統(tǒng)內(nèi)的電場強度,并將場強信號的電平值(模擬信號)通過專用插頭與電纜送至智能場強計進行處理。
場強監(jiān)視儀: 接受測試探頭輸入的模擬信號,對信號進行處理,在液晶屏幕上顯示GTEM室內(nèi)探頭位置上的場強值。智能場強可獨立于計算機而進行操作(通過面板的按鈕,詳見使用說明);也可通過GP-IB(IEEE-488)接口與計算機聯(lián)機處理。
GTEM吉赫芝橫電磁波室:它接受放大器的輸出信號后形成所需的電場。場強的大小可由測試探頭測出。

GTSI 射頻電磁場輻射抗擾度試驗系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖:

圖2 GTSI 射頻電磁場輻射抗擾度試驗系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖

吉赫芝橫電磁中心處的電場強度為:

E:電磁場強度的垂直分量
Po: 饋至赫芝橫電磁波室的射頻功率
Rc: 吉赫芝橫電磁波室的特性阻抗
d: 芯板與上下板之間的垂直距離

從式中可見較小赫芝橫電磁波室的芯板與上、下底板間的尺寸,可獲得較大的場強值。

系統(tǒng)實物圖如下:

圖3 GTSI 射頻電磁場輻射抗擾度試驗系統(tǒng)實樣參考圖

標簽:GTEM-2


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