薄膜測厚儀ST2000-DLXn
儀器簡介：
Spectra Thick, K-MAC公司的薄膜厚度測量系統(tǒng)，采用的是光學(xué)技術(shù)方法。在薄膜的表面利用反射光和在下部的界面反射的光之間的干涉現(xiàn)象或是利用光的相位差來決定薄膜的性質(zhì)。這樣我們不但可以測量薄膜厚度還可測量光學(xué)常數(shù)。如果是透明薄膜且可維持光的干涉性，用ST系列可測量任何樣品。通過數(shù)學(xué)計算多層薄膜的每個層的厚度都可測量。由于采用的是用戶友好界面，操作十分簡單。樣品不會受到損害，并可快速測量從?到數(shù)十?的大范圍厚度。
技術(shù)參數(shù)：
測量方法： 非接觸式
測量原理：反射計
類型：手動的
平臺尺寸： 4" （可選6" ）
活動范圍：150 x 120mm(70 x 50mm 移動距離)
測量范圍 ：200?~ 35?(根據(jù)膜的類型)
光斑尺寸：20? 典型值 （可選10?、50?）
測量速度：1~2 sec./site
物鏡轉(zhuǎn)換器：Quadruple Revolving Mechanism with Inward Tilt
照明類型：12V 35W Tungsten-Halogen Lamp Built-in Control Device & Transformer
尺寸：190 x 265 x 316 mm
重量：12Kg
探頭類型：三目探頭
可供選擇：標準樣品(K-MAC or KRISS or NIST)
應(yīng)用領(lǐng)域：
半導(dǎo)體：Poly-Si, GaAs, GaN, InP, ZnS + Si, Ge, SiGe...
介質(zhì)材料：SiO2, TiO2, TaO5, ITO, ZrO2, Si3N4, Photoresist, ARC,...
平板行業(yè)：(包括 LCD, PDP, OLED, ): a-Si, n+-a-Si, Gate-SiNx MgO, AlQ3 , ITO, PR, CuPc, NPB, PVK, PAF, PEDT-PSS, Oxide, Polyimide...
光學(xué)涂層：硬度涂層、增反射薄膜、Color Filters、封裝與功能薄膜...
太陽能電池： Doping a-Si(i-type, n-type, p-type), TCO(ZnO, SnO, ITO..)
聚合物：PVA, PET, PP, Dye, Npp, MNA, TAC, PR...
Recordable materials: Photosensitive drum, Video head, Photo masks, Optical disk
其他：示波管上的光阻薄膜材料與掩膜板、金屬薄膜、激光鏡...
主要特點：
測量迅速，操作簡單
非接觸式，非破壞方式
優(yōu)良的重復(fù)性和再現(xiàn)性
用戶易操作界面
每個影像打印和數(shù)據(jù)保存功能
可測量多達3層
可背面反射
LR1-D503 LR1-D403 LR1-D323 ZPS-2000N LR1-D253 LR1-D123 LR1-D093-JRS1 T250 T170 T105 T85 ZPS-1000N T45-27A-45A Y45 2.4A-21A-JR-ON T25-JR-5-1N ZP-1000N ZP-500N ZP-200N T60-RH-18M T60-RH10E/C TH-K60-0.24-105A TH-K20-0.24-40A TH-K12-0.1-13A ZP-100N 600 ZP-50N JRS2-63/F JRS2-32/Z EPK4100 ZP-20N F6 mikrotest 6G ZP-10N Exacto F Exacto JRS2-25/Z（3UA52) PMP10 JRS2-12/Z（3UA50） JR16B-150/3 JR16B-60/3 MC-2000A JR16B-20/3 MC-2000 JR36B-150/3 KD-1 JR36B-60/3 JR36B-20/3 ZP-5N JJDZ3-33 522 Exacto FN ZP-2NMC-2000D 600BN JRX13F HHDZ46 HH54P HH53P HH52P JTX-3C JTX-2C JQX-13F-3Z JQX-13F-2Z Minitest 3100MINIT
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