詳細介紹
使用工作場所
1,產(chǎn)品廣泛適用于石油、石化、鋼鐵、電力、港口碼頭、造紙廠等場所作普通照明和作業(yè)照明之用。
2,適用于防護要求較高、潮濕的場所。
3,適用于爆炸氣體環(huán)境的1區(qū)、2區(qū)場所。
4,適用于IIA、IIB、IIC類爆炸性氣體環(huán)境。
5,適用于T1-T6溫度組別。
產(chǎn)品名稱:
額定功率:10W/20W/30W
防護等級:IP67
防腐等級:WF2
絕緣等級:I
防爆等級:Ex dⅡC T6 Gb/DIP A20 TA,T6
認證情況:國家防爆認證、ATEX、UL、CE
結(jié)溫(TJ)):<55℃
顯色指數(shù)(CRI):Ra﹥70
使用壽命:>5萬小時
工作環(huán)境溫度:-55℃~﹢60℃
安裝高度:2~6米
引入裝置:適合Φ8~Φ10mm電纜引入
燈具重量:3.5Kg
燈具尺寸:Φ195×146mm
性能特點:65W防爆吸頂燈 HRD93發(fā)電廠LED防爆燈
1、110~270V交流電和12~24V直流電兩種供電方式可選;
2、LED多顆燈珠做光源,能耗低,光效高,在相同亮度下比高壓鈉燈、汞燈、金鹵 燈節(jié)能70%以上;采用美國進口普瑞45mil*芯片,
光效大于120lm/w,光線均勻,顯色性高,超高亮度,壽命長;
3、燈體采用一體式設計,并且接線腔、電源腔、光源腔三腔分離,*的散熱設計,散熱效果優(yōu)良,確保光源壽命長達5萬小時以上,真正的免維護產(chǎn)品;
4、外殼采用鋁合金整體壓鑄成型,表面做防高壓靜電、防腐蝕噴涂;
5、隔爆型ZUI高防爆等級,具有優(yōu)良的防塵、防水、防腐能力;
6、透鏡采用高強度鋼化玻璃,耐高溫,耐腐蝕耐沖擊,高透光率;
7、反光罩采用亞克力鍍膜工藝,反射率高,提高整燈光效;多種發(fā)光角度可選,照度均勻,效果好,無眩光;
8、*的驅(qū)動電源設計,恒流精度高,寬電壓范圍輸入,高功率因數(shù),抗干擾電網(wǎng)設計;
9、外型美觀,有多種安裝方式供選擇。
質(zhì)量保證:65W防爆吸頂燈 HRD93發(fā)電廠LED防爆燈
a、產(chǎn)品出廠前均做通電,老化測試,合格后方可包裝出廠
b、本公司所以產(chǎn)品均取得第三方(國家檢測機構(gòu))檢測的防爆合格證。
售后保證
a、本公司產(chǎn)品執(zhí)行國家標準的質(zhì)量三包。
b、本公司產(chǎn)品均執(zhí)行終身有償維護原則(收取配件成本費用)。
c、24小時,在線視頻問題處理。
燈具結(jié)構(gòu)組成
1,外殼采用優(yōu)質(zhì)鋁合金壓鑄成型,強度高;表面高壓靜電粉沫噴涂處理,耐腐蝕。
2,LED防爆投光燈照射角度可根據(jù)照明環(huán)境要求,選擇25度(聚光)或80度(泛光)。
3,*的一體式*對流散熱結(jié)構(gòu)世界*,有效的解決了LED因溫升導致的光衰問題,從而保證LED壽命長達到10萬小時。
4,燈具的角度鎖緊裝置能保證燈具在震動環(huán)境也不會改變照射方位。
5,選用LED光源,光效高、顯色性高、光衰小、能耗低,超長使用壽命,免維護,無需后續(xù)使用成本。
6,此系列LED防爆燈電源關(guān)鍵元件全部選擇用,高效、穩(wěn)定。
7,外殼采用高科技表面噴涂技術(shù),耐磨抗腐,防水防塵,適用于各種惡劣環(huán)境。
8,科學的密封結(jié)構(gòu)設計,特制的密封條及嵌入方式,具有良好的防水防塵性能.可在惡劣的環(huán)境下使用。
今日采摘:隨著國內(nèi)技術(shù)水平提高與規(guī)模擴大,國內(nèi)企業(yè)在背光、特種白光照明(包括路燈)、車用LED光源市場的滲透率將持續(xù)提高。而當白光通用照明時代來臨時,整個行業(yè)將步入快速增長的發(fā)展階段。企業(yè)加快布局LED照明燈的市場規(guī)模和前景十分廣闊,每年以50%的速度增長。數(shù)據(jù)顯示,2008年,LED的應用市場將從2004年的125億美元提高到500億美元,正在展開一場搶占LED市場制高點的爭奪戰(zhàn)。世界三大照明工業(yè)*通用電氣、飛利浦、奧斯拉姆集團紛紛與半導體公司合作,成立半導體照明企業(yè)。“目前,我國也已將發(fā)展LED和光伏產(chǎn)業(yè)提上日程,推廣使用節(jié)能燈。”清華大學羅毅教授介紹,我國于2003年6月由*組織實施了“國家LED照明工程”,預計至2015年全國可累計節(jié)約2600億元電費支出。與國外企業(yè)相比,我國半導體照明產(chǎn)業(yè)的競爭力仍遠遠不夠。國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟主席范玉缽認為,從產(chǎn)業(yè)及組織治理角度看,目前我國半導體產(chǎn)業(yè)面臨研發(fā)力量分散、整體技術(shù)實力不強、企業(yè)規(guī)模小、上中下游產(chǎn)業(yè)配套與聯(lián)合攻關(guān)不夠等問題,應該充分整合利用現(xiàn)有資源,加強自主創(chuàng)新。